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J-GLOBAL ID：200903058294193492

相変化メモリおよびその製造方法

Inventor： 塚 本 隆 之 ,  内 藤 勝 之 ,  芦 田 純 生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005146784
Publication number (International publication number)：2006324501
Application date： May. 19, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：

【課題】 記憶セルのサイズが小さくなった場合にも、記憶セル間の特性を略同一にすることが可能で、かつ相変化のために必要な電流量を十分に小さくすることを可能にする。【解決手段】 第1の電極11と、第1の電極上に設けられた略同一形状を有する少なくとも2個の導電体13を有し、これらの導電体が導電体よりも高抵抗な高抵抗膜12によって隔てられている導電部と、導電部上に設けられ、第1の比抵抗を有する第1の相状態と、第1の比抵抗とは異なる第2の比抵抗を有する第2の相状態との間で相変化可能な相変化材料を有する記録層14と、記録層上に設けられた第2の電極15と、を備えた記憶セル1を有している。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の電極と、 前記第1の電極上に設けられた略同一形状を有する少なくとも2個の導電体を有し、これらの導電体が前記導電体よりも高抵抗な高抵抗膜によって隔てられている導電部と、 前記導電部上に設けられ、第1の比抵抗を有する第1の相状態と、前記第1の比抵抗とは異なる第2の比抵抗を有する第2の相状態との間で相変化可能な相変化材料を有する記録層と、 前記記録層上に設けられた第2の電極と、 を備えた記憶セルを有していることを特徴とする相変化メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA21 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子ビームを用いた微細孔膜の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-341421   Applicant：日本原子力研究所