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J-GLOBAL ID：200903058311150263
半導体発光素子および該素子を備えた光源装置および光断層画像化装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006319817
Publication number (International publication number)：2007184557
Application date： Nov. 28, 2006
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：
【課題】半導体発光素子において、広帯域なスペクトル分布を有するとともに、スペクトル分布を任意に制御可能とする。【解決手段】活性層15が光の導波方向に沿って利得波長の異なる構造を備え、上面または下面の少なくともいずれか一方の電極層19を、活性層15が生ずる光のスペクトル分布を可変とするように、導波方向に互いに分離された2以上の電極19a、19bおよび19cから構成する。【選択図】図1F
Claim (excerpt)：
活性層を含む積層体の上面および下面に電極層を備えてなる半導体発光素子であって、
前記上面または下面の少なくともいずれか一方の電極層が、光の導波方向に互いに分離された2以上の電極に分割されており、
前記活性層が前記導波方向に沿って、利得波長の異なる構造を備えて、該活性層の前記分割された2以上の電極の各電極に対応する各領域から互いに異なるスペクトルの光を生じるものであり、
前記各電極からの注入電流を個別に変化させることにより出力光のスペクトル分布を変化させることができるものであることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (19)：
5F173AA27
, 5F173AB62
, 5F173AB64
, 5F173AH02
, 5F173AK21
, 5F173AP16
, 5F173AP35
, 5F173AP43
, 5F173AR03
, 5F173AR06
, 5F173AR93
, 5F173AR94
, 5F173SA04
, 5F173SC02
, 5F173SE01
, 5F173SF03
, 5F173SF33
, 5F173SF43
, 5F173SF54
Cited by applicant (1)
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半導体光デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-359673
Applicant：三菱電機株式会社
Cited by examiner (1)
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