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J-GLOBAL ID：200903058318665536

超臨界乾燥装置および方法

Inventor： 生津 英夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998254835
Publication number (International publication number)：2000091180
Application date： Sep. 09, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】超臨界液体による乾燥(超臨界乾燥)の乾燥効率を高めるとともに、レジストパターンの乾燥において、パターン倒れもなく良好なパターンを提供することができ、またレジストパターンの膨れを回避し、微細なパターン形成を可能とする超臨界乾燥装置および方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板2を保持する反応室1と、反応室1に所望のガスを供給する液化二酸化炭素のガスボンベ3とを有する超臨界乾燥装置において、ガスボンベ3、ポンプ4、ヒター5およびクーラ6とにより、超臨界流体となるべき液体(液化二酸化炭素)または超臨界流体を反応室1に導入する手段を構成し、さらに、反応室1の圧力を調整する圧力調整器8と、反応室1の温度を調整する温度調整装置8aを設ける。

Claim (excerpt)：

反応室内の水分を除去しながら超臨界流体を導入し、あるいは上記反応室内の水分を除去した後上記超臨界流体を導入し、液体に浸された材料の乾燥を行う手段を有することを特徴とする超臨界乾燥装置。

F-Term (2)：

5F046LA13 ,  5F046LA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-179530
  
• 特開平3-127832
  
• 表面処理方法および装置ならびにこれにより得られた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-296776   Applicant：株式会社日立製作所