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J-GLOBAL ID：200903058326373153
プラズマCVD膜製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薬師 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099618
Publication number (International publication number)：1996325740
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：
【要約】【目的】 製品不良を生じること無く長時間の運転が可能で小型化が図れる成膜装置、また、処理室外の冷却水循環用のチューブ等からの放電を防止でき周辺の他の機器に悪影響を及ぼすことがないプラズマCVD膜製造装置を提供する。【構成】 真空層10の処理室Cの対向する内壁に絶縁物からなる凸部11,11を形成し、該凸部11,11間に外周面の両側が絶縁物の被覆層12aで被覆されたメインローラ12を支軸13により回転自在に支持して処理室Cを上処理室Caと下処理室Cbとに区画し、支軸13の壁への軸受部分を壁に取り付けられ被覆層12aに摺接するリップ部材17で封止するとともに、処理室Cb内に電極板31とガス管32を配置し、処理室Cb内へ外部から配設された絶縁物からなる冷却水循環用チューブ39やガス管32を処理室C外で接地し、ガス管32から反応ガスを供給し、また、電極板31に電圧を印加し、メインローラ12に巻回されて走行する磁気テープTの磁性層上に保護膜を形成するように構成した。
Claim (excerpt)：
反応ガスが導入され、排気系に連結された処理室内に高周波電極とワーク保持部材とを対向配備し、前記ワーク保持部材の保持面に保持されたワークに保護薄膜を形成するプラズマCVD膜製造装置において、前記処理室内壁表面および処理室内に設置された部材のうち、前記高周波電極の表側および前記ワーク保持部材のワーク保持面を除いて部材の表面を絶縁物により積層被覆したことを特徴とするプラズマCVD膜製造装置。
IPC (4)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, G11B 5/84
, H01L 21/205
C23C 16/50
, C23C 16/44 J
, G11B 5/84 B
, H01L 21/205
Cited by examiner (5)
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