薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993200862
Publication number (International publication number)：1995056190
Application date： Aug. 12, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【構成】薄膜トランジスタのゲート配線・ソース配線・画素電極が絶縁膜を介して各々異なる層に形成され、ソース配線の上部に第二および第三の層間絶縁膜が形成され、前記の第三の層間絶縁膜が等方的にエッチングされ、第二の層間絶縁膜が異方的にエッチングされて薄膜トランジスタのドレイン部にコンタクトホールが開口され、薄膜トランジスタのドレイン部に画素電極が形成される。【効果】微細なコンタクトホールの形状が改善され、良好なコンタクト特性を得ることが可能であると同時に、RIEを用いての画素電極の微細加工が容易になる。

Claim (excerpt)：

アクティブマトリックス液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタにおいて、前記の薄膜トランジスタのゲート配線の上部に第一の層間絶縁膜を介してソース配線が形成され、前記のソース配線の上部に第二の層間絶縁膜が形成され、前記の第二の層間絶縁膜の上部に第三の層間絶縁膜が形成され、前記の第三の層間絶縁膜の上部に画素電極が形成されており、前記の第三の層間絶縁膜が等方的にエッチングされ、第二の層間絶縁膜が異方的にエッチングされたコンタクトホールを用いて前記の画素電極と薄膜トランジスタのドレイン部のコンタクトが為されていることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-354804 Applicant：ソニー株式会社
ドライバ内蔵型液晶表示パネルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-316915 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-234134

Show all

Return to Previous Page