半導体機器及びその製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清原義博
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008540385
Publication number (International publication number)：2009528670
Application date： May. 28, 2007
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：

本発明の半導体機器は、酸化亜鉛からなる酸化物半導体薄膜層(3)を有する。そして、酸化物半導体薄膜層の少なくとも一部が基板(1)表面に対して垂直方向に(002)結晶面が優先配向状態を有し、該(002)結晶面の格子面間隔d002が、2.619Å以上であることを特徴とする。【選択図】図13

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された酸化亜鉛からなる酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子を含む半導体機器であって、前記酸化物半導体薄膜層の少なくとも一部は基板に対して垂直方向に(002)結晶面が優先配向状態を有し、前記(002)結晶面の格子面間隔d002が2.619Å以上であることを特徴とする半導体機器。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 618A

F-Term (29)：

5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-389846 Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Return to Previous Page