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J-GLOBAL ID：200903058415259186

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
山本 哲浩

About 山本 哲浩


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995141519
Publication number (International publication number)：1996335593
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 樹脂の注入時の気泡の発生を抑制し、気密封止された半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 キャリア部15の上面に配線パターン16とは無関係なダミー配線パターンを設け、キャリア面内の配線パターン密度を一定にすることで、樹脂に対する抵抗を一定にして樹脂の充填速度を均一にし、気泡の発生を抑制する。また半導体素子11とキャリア15との隙間に封止樹脂17を注入する際には、加熱および傾斜させて注入することにより、気密性の優れた樹脂封止ができる。
Claim (excerpt)：
第1面上に配線パターン群と第2面上に外部端子群を有したキャリア部と、前記キャリア部の第1面上の配線パターン群と導電性接着剤により電極が接続した半導体素子と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの隙間と前記半導体素子周辺端部を充填被覆している樹脂とよりなる半導体装置であって、前記キャリア部の第1面上の配線パターン群は、前記第1面上において一定密度で配設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28
FI (3)：
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • マルチチップモジュール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-232733   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体パッケージ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-060492   Applicant：株式会社東芝

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