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J-GLOBAL ID：200903058431027597
分極反転領域の製造方法ならびにそれを利用した光波長変換素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217854
Publication number (International publication number)：1996220578
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【課題】 高効率かつ短波長の光波長変換素子を製造するために、短周期で且つ深い分極反転領域を、基板の大面積に渡って均一に形成する。【解決手段】 基板の表面に櫛形電極を、裏面には平面電極を形成する。そして、直流電源とパルス電源とを用いて電極にパルス電圧が重畳した直流電圧を印加して、基板にパルス電界が重畳した直流電界を印加する。これにより、小さいパルス電界の印加で周期状の分極反転領域が形成できる。印加電界の基板面内における均一性が高いので、均一な周期構造を有する分極反転領域が形成される。あるいは、櫛形電極を絶縁膜で覆った上で、パルス電源を用いて電極にパルス電圧を印加して、基板にパルス電界を印加する。これにより、結晶表面の自由電荷の移動が抑制されて分極反転の横方向への拡大が抑えられ、均一且つ短周期の分極反転構造が形成される。
Claim (excerpt)：
強誘電体結晶基板の分極方向にお互いに離れた第1及び第2の電極を形成する工程と、該第1及び第2の電極間に直流電圧を印加する工程と、該直流電圧にパルス電圧を重畳して、該直流電圧と該パルス電圧との合計電圧を該第1及び第2の電極に印加して、該強誘電体結晶基板の内部の所定の領域の分極を反転させる工程と、を包含する分極反転領域の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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