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J-GLOBAL ID：200903058435618131

樹脂封止型半導体装置および半導体装置封止用樹脂組成物

Inventor：
三枝 哲也

About 三枝 哲也

, 
堤 康章

About 堤 康章

, 
田中 正幸

About 田中 正幸


Applicant, Patent owner：
東レ株式会社

About 東レ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998346246
Publication number (International publication number)：2000169670
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】本発明は、上述した従来の樹脂組成物の問題を解決すること、すなわちパッケージのそり量を小さくし、かつ十分な流動性、信頼性を持つエポキシ樹脂組成物、および該エポキシ樹脂組成物によって封止された半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】図1に示す半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が形成されており、かつ該エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填材(C)、メルトフローレートが20g/10min以上のエラストマー(D)を含有し、該エポキシ樹脂組成物硬化物の、23°Cでの曲げ弾性率が10〜30GPa、23°Cでからガラス転移点までの線膨張係数が4×10-6〜20×10-6/K、かつ23°Cでの曲げ弾性率と23°Cからガラス転移点までの線膨張係数の積が、3×10-4GPa/K以下であり、さらに該エポキシ樹脂組成物硬化物の、ガラス転移点温度が150°C以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体素子と、該半導体素子が搭載される基板と、該半導体素子を封止するエポキシ樹脂組成物の硬化物とを具備する半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が形成されており、かつ該エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填材(C)、メルトフローレートが20g/10min以上のエラストマー(D)を含有し、該エポキシ樹脂組成物の硬化物の、23°Cでの曲げ弾性率が10〜30GPa、23°Cでからガラス転移点までの線膨張係数が4×10-6〜20×10-6/K、かつ23°Cでの曲げ弾性率と23°Cからガラス転移点までの線膨張係数の積が、3×10-4GPa/K以下であり、さらに該エポキシ樹脂組成物の硬化物の、ガラス転移点温度が150°C以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4)：
C08L 63/00 ,  C08L 19/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3)：
C08L 63/00 A ,  C08L 19/00 ,  H01L 23/30 R
F-Term (42)：
4J002CC032 ,  4J002CD011 ,  4J002CD021 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002CD121 ,  4J002DE077 ,  4J002DE127 ,  4J002DE137 ,  4J002DE147 ,  4J002DE237 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ017 ,  4J002DJ047 ,  4J002DL007 ,  4J002EF126 ,  4J002EL146 ,  4J002EN036 ,  4J002EN076 ,  4J002EV216 ,  4J002FA047 ,  4J002FD017 ,  4J002FD142 ,  4J002FD146 ,  4J002FD150 ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EB19 ,  4M109EC04 ,  4M109EC09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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