発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松本孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994307430
Publication number (International publication number)：1996167735
Application date： Dec. 12, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】チッ素化合物系の発光ダイオードにおいて、良質の活性層を成長することができるようにして、超高輝度で紫外、青色、緑色の光を出せるようにする。【構成】サファイア基板7上にAlNのバッファ層6を形成し、その上にn型InGaN電流分散層5、n型InGaNクラッド層4、InGaN活性層3、p型InGaNクラッド層2、p型InGaN電流拡散層1を順次形成する。活性層3のGaN混晶比は0.6とする。電流拡散層1、5のGaN混晶比を0.7として、活性層と電流拡散層との混晶比差を0.2以下とする。このように電流拡散層の組成を活性層に近い組成にすることにより、良質の活性層を成長できる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にチッ素化合物半導体のバッファ層を形成し、その上にn型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流分散層を形成し、更にその上にチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の活性層を、それよりもバンドギャップエネルギーの大きなn型とp型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体のクラッド層で挟んだダブルヘテロ層をn型層の方が下になるように形成し、その上にp型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流分散層を形成した発光素子において、上記ダブルヘテロ層を挟んでいるp型とn型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流拡散層と、発光層となるダブルヘテロ層の中央のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の活性層との混晶比差が、0.2以下であることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222920 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079046 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062812 Applicant：株式会社東芝

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