半導体装置及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993265597
Publication number (International publication number)：1995106591
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】量産性に優れた結晶性シリコンを用いた半導体装置及び、そのような半導体装置を安価に製造する方法を提供する。【構成】アモルファスシリコン膜に白金をイオン注入等の手法で添加し、ガラス基板の歪み点以下との温度で結晶化を行う。また白金の添加領域とその周辺領域で結晶形態が異なることを利用して、目的に応じた半導体装置を作り分ける。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された非単結晶珪素膜を用いた半導体装置であって、前記非単結晶珪素膜には、白金あるいは珪化白金が全領域あるいは特定の領域に添加されており、該領域は結晶成長が行われており、前記結晶成長が行われた領域の非単結晶珪素膜を利用して半導体装置が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L , H01L 21/265 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-140915
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-229120 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平2-222546

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