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J-GLOBAL ID：200903058493724693

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男 ,  中田 俊次 ,  松本 幸生
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059219
Publication number (International publication number)：1998256667
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInP系化合物半導体により発光層が形成され、ウインドウ層としてGaPが用いられる半導体発光素子において、ウインドウ層の膜質を低下させないで、発光効率が高く電気特性の優れた発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部11と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層7とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和するAlGaInP系化合物半導体からなるバッファ層6が介在されている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上にAlGaInP系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の表面側に設けられるGaPからなるウインドウ層とを備える半導体発光素子であって、前記発光層形成部と前記ウインドウ層との間に該発光層形成部とウインドウ層との格子歪を緩和する(Alx Ga1-x )1-z Inz P(0≦x≦1、0≦z≦0.5)化合物半導体からなるバッファ層が介在されてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211229   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066879   Applicant：シャープ株式会社
• AlGaInP発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342409   Applicant：昭和電工株式会社