AlGaInP発光ダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995342409
Publication number (International publication number)：1997186360
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】高輝度で低VF 特性を有し、長時間使用しても輝度劣化の少ない高性能なAlGaInP4元混晶の発光ダイオードを得る。【解決手段】高温で完全に格子整合させた状態で良質なエピタキシャル成長結晶を作る。エピタキシャル成長温度において格子整合するようなIn混晶比を選択する。電流拡散層には比抵抗の小さいGaPを使用する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に(Alx Ga1-x )y In1-y Pからなるダブルヘテロ接合発光構造を備えた発光ダイオードであって、GaAs基板とダブルヘテロ接合発光構造との間に多層膜の積層体から成る反射層を備え、該ダブルヘテロ接合を構成する各層がエピタキシャル成長温度においてGaAs基板に対して格子整合しており、該ダブルヘテロ接合発光構造の基板と反対側のクラッド層の上にGaPからなる電流拡散層を有し、GaAs基板上及び電流拡散層上にオーミック電極を備えたことを特徴とするAlGaInP発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-369874
特開昭58-199588
半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268541 Applicant：富士通株式会社

Show all

Cited by examiner (8)

特開平4-369874
特開昭58-199588
半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268541 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page