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J-GLOBAL ID：200903058498177810

半導体ウェハの加熱・冷却方法及び加熱・冷却装置

Inventor： ウィリアム・ティー・バッチェルダー
Applicant, Patent owner： セミコンダクタ システムズ, インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302767
Publication number (International publication number)：1995254557
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来の半導体製造方法の接近した加熱過程での問題点である、支持ポストと接触するウェハの部分がウェハのその他の部分とは異なる温度に加熱されることを防止することを目的とする。【構成】 支持部に取り付けられた、上側面を備えたホットプレートと、前記所望の温度に前記ホットプレートを加熱する手段と、前記平坦な物品を前記ホットプレートの付近に支持すると共に前記平坦な物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成する、前記ホットプレートの前記上側面に配置された支持手段と、前記支持部に接続された、熱伝導性の非反応性ガスの供給源と、所定量の前記熱伝導性の非反応性ガスを前記ガス供給源から前記空間へ供給するガス供給手段とを有する。

Claim (excerpt)：

所望の温度のホットプレートの付近に概ね平坦な物品を配置し、前記物品と前記ホットプレートとの間に空間を形成する過程と、前記空間に熱伝導性の非反応性ガスを供給する過程とを有することを特徴とする半導体ウェハの加熱・冷却方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 基板加熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336319   Applicant：沖電気工業株式会社