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J-GLOBAL ID:200903058511282687
強誘電体膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994052185
Publication number (International publication number):1995267731
Application date: Mar. 23, 1994
Publication date: Oct. 17, 1995
Summary:
【要約】【目的】 分極方向と配向方向の一致を実現することができる強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的としている。【構成】 少なくとも(Pb1-y Ay )(Bx C1-x )O3 〔但し、1>y≧0、1>x>0、AはLa又はEr、B及びCは互いに異なってZr、Ti、Mg及びNbからなる群から選択された元素〕で表される鉛系ペロブスカイト型強誘電体を構成する各元素の塩、無水有機溶剤及び酸からなる非水溶液に、上記式を構成する元素であるBとCとの使用モル数の総和の2倍モル数未満の水を添加して前駆体溶液を調製し、該前駆体溶液を用いて、ゾル-ゲル法により、強誘電体相の結晶系が菱面体晶であり、かつ分極軸が [111] となる強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法。
Claim (excerpt):
少なくとも下記式(I)(Pb1-y Ay )(Bx C1-x )O3 (I)〔但し、1>y≧0、1>x>0、AはLa又はEr、B及びCは互いに異なってZr、Ti、Mg及びNbからなる群から選択された元素〕で表される鉛系ペロブスカイト型強誘電体を構成する各元素の塩、無水有機溶剤及び酸からなる非水溶液に、上記式(I)を構成する元素であるBとCとの使用モル数の総和の2倍モル数未満の水を添加して前駆体溶液を調製し、該前駆体溶液を用いて、ゾル-ゲル法により、強誘電体相の結晶系が菱面体晶であり、かつ分極軸が [111] となる強誘電体膜を形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
IPC (6):
C04B 35/49
, C01G 25/00
, C01G 33/00
, C01G 45/00
, C23C 14/08
, C30B 29/32
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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