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J-GLOBAL ID：200903058532626971

半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置

Inventor： 吉田 知佐 ,  北川原 豊
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059967
Publication number (International publication number)：1997229860
Application date： Feb. 22, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ボロンが高濃度にドープされた半導体シリコン結晶中の酸素濃度を、低コストで、高感度に再現性よく評価する方法および装置を提供する。【解決手段】 ボロンが濃度1017原子/cm3以上ドープされた半導体シリコン結晶を室温から50K の範囲の温度環境下に置き、前記半導体試料の荷電子帯と伝導帯間での帯間吸収遷移を起こしうる光を照射し、該光照射により、該半導体試料から得られた0.96eV近傍のエネルギーのフォトルミネッセンス光の強度を測定し、該半導体試料中に含まれる酸素濃度に関する評価を行う。

Claim (excerpt)：

ボロンが濃度1017原子/cm3以上ドープされた半導体シリコン結晶に、前記半導体シリコン結晶試料の荷電子帯と伝導帯間での帯間吸収遷移を起こしうる光を照射し、該光照射により、前記半導体試料から得られた0.96eV近傍のエネルギーのフォトルミネッセンス光の強度を測定し、前記半導体試料中に含まれる酸素濃度に関する評価を行うことを特徴とする半導体シリコン結晶の評価方法。

IPC (2)：

G01N 21/64 ,  H01L 21/66

FI (2)：

G01N 21/64 D ,  H01L 21/66 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-011974
  
• 半導体結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224068   Applicant：富士通株式会社