ポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法およびシリコン膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006104866
Publication number (International publication number)：2007277038
Application date： Apr. 06, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】大掛かりな設備を必要とせずにシリコン膜を形成するための成膜材料として、ポリシラン修飾シリコン微粒子を製造する方法およびこのポリシラン修飾シリコン微粒子を用いたシリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】末端がシリルアニオン化されたポリジフェニルシランからなるポリシラン11を含む液に、シリコン微粒子12を添加することで、シリコン微粒子12の表面にポリシラン11を結合させたポリシラン修飾シリコン微粒子13を製造する。そして、このポリシラン修飾シリコン微粒子13に水素化処理を行うことで、水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子14を製造することを特徴とするポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法である。また、この水素化ポリシラン修飾シリコン微粒子14が分散された液を基板上に塗布し、塗布膜を形成した後、塗布膜が形成された状態の基板に熱処理または光照射を行うことで、シリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

末端がシリルアニオン化されたポリシランを含む液に、シリコン微粒子を添加することで、当該シリコン微粒子の表面に前記ポリシランを結合させたポリシラン修飾シリコン微粒子を製造することを特徴とするポリシラン修飾シリコン微粒子の製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/02

FI (2)：

C01B33/02 Z , C01B33/02 D

F-Term (14)：

4G072AA01 , 4G072AA03 , 4G072BB05 , 4G072BB09 , 4G072BB20 , 4G072GG02 , 4G072HH03 , 4G072HH28 , 4G072JJ04 , 4G072LL15 , 4G072NN21 , 4G072NN30 , 4G072QQ06 , 4G072RR12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特公平5-469号公報
特公平4-62703号公報
特開昭60-26665号公報

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