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J-GLOBAL ID：200903088769240110

太陽電池用シリコン膜の形成方法および太陽電池

Inventor： 岩沢 晴生 ,  王 道海 ,  山本 浩史 ,  早川 尚志 ,  遠藤 昌之 ,  竹内 安正
Applicant, Patent owner： JSR株式会社 ,  シャープ株式会社 ,  株式会社国際基盤材料研究所
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004148769
Publication number (International publication number)：2005332913
Application date： May. 19, 2004
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：

【課題】 太陽電池に用いる半導体層として好適な性能を有するシリコン膜を、簡易に形成する方法および該シリコン膜を使用した太陽電池を提供すること。【解決手段】 基体上に、シリコン粒子および高次シラン化合物を含有する組成物を塗布する工程および、得られた塗膜を、前記塗布工程よりも低い圧力下において加熱する工程を有する、太陽電池用シリコン膜の形成方法ならびに上記の方法によって形成されたシリコン膜を、少なくとも一層、セル内に含む太陽電池。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

基体上に、シリコン粒子および高次シラン化合物を含有する組成物を塗布する工程および、得られた塗膜を、前記塗布工程よりも低い圧力下において加熱する工程を有することを特徴とする、太陽電池用シリコン膜の形成方法。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (2)：

H01L31/04 X ,  H01L31/04 A

F-Term (2)：

5F051AA03 ,  5F051CB13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-29661号公報
  
• シリコン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-054004   Applicant：昭和電工株式会社
• シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375992   Applicant：ジェイエスアール株式会社