Pat
J-GLOBAL ID：200903058601333809

成膜方法及び成膜装置

Inventor：
村上 誠志

About 村上 誠志


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201690
Publication number (International publication number)：2004047644
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】被処理体の表面に成膜処理を施すにあたり、段差被覆性の高い成膜を低い温度で行うことができ、更には処理ガスの消費量を抑えると共に高いスループットの得られる技術を提供すること。【解決手段】処理容器内の載置台にウエハを載置し、処理容器の内壁面温度を第1の原料が液化しない温度とすると共に、ウエハ温度を第1の原料が液化または固化する温度以下となるように載置台の冷却を行う。次いでウエハにTiCl4ガスを供給すると当該ガスは冷却されてウエハ表面に吸着されるので、そこにNH3ガスを供給して反応させる。しかる後、ウエハを別の処理容器に移して120°Cに加熱し、ウエハ上の膜中の不純物を離脱させて、除去する。次いで更に別の処理容器にウエハを移し、先の離脱時よりも高い温度に加熱して前記膜中の不純物を除去し、ウエハ表面に高純度のTiN膜を形成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
成膜成分を含む第1の原料と、第2の原料とを反応させて被処理体の表面に薄膜を形成する方法において、 処理容器内に被処理体を搬入する工程と、 前記被処理体の表面の温度を前記処理容器の内壁面の温度よりも低くかつ第1の原料が液体または固体になる温度以下の温度に設定する工程と、 次いで第1の原料をガス状態で前記処理容器内に供給して被処理体の表面に吸着させる工程と、 第2の原料をガス状態で被処理体の表面に供給し、被処理体に吸着している第1の原料と反応させて生成物を生成する工程と、 その後、被処理体の表面にエネルギーを与えて前記生成物中の不純物を除去する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (4)：
H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316
FI (4)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 A ,  C23C16/56 ,  H01L21/316 X
F-Term (36)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030HA02 ,  4K030HA03 ,  5F045AA00 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AD01 ,  5F045BB00 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB02 ,  5F045EK26 ,  5F045EK28 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F045HA24 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BF04 ,  5F058BG01 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM