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J-GLOBAL ID：200903058696479902

成膜装置および成膜方法

Inventor： ビー.エス.サティアナラヤーナ ,  柴垣 茂樹 ,  古田 寛 ,  木村 千春 ,  洪 ▲ぎ▼植 ,  高梨 久美子 ,  玉川 智史
Applicant, Patent owner： ソナック株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005000844
Publication number (International publication number)：2005350763
Application date： Jan. 05, 2005
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】 同一の成膜装置によって多種の炭素膜を成膜できるようにする。 【解決手段】 陰極アーク放電によって陰極材料を衝撃して基板に成膜する成膜装置において、前記陰極4と前記基板8との間隔を可変する可変手段を設け、陰極4と基板8との間の距離を可変して材料特性やエミッタ特性などに影響を及ぼすパラメータであるイオン行程距離(Ion Throw Distance)を調整できるようにしており、これによって、他のパラメータを適宜選択することにより、様々な特性の炭素膜の成膜を可能としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

陰極アーク放電によって陰極材料イオンを含むプラズマを生成して基板に成膜する成膜装置であって、 前記陰極と前記基板との間隔を可変する可変手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (1)：

C23C14/32

FI (1)：

C23C14/32 Z

F-Term (9)：

4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BA48 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA06 ,  4K029JA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• カソーディックアーク成膜方法、保護膜および成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-038568   Applicant：株式会社島津製作所