カソーディックアーク成膜方法、保護膜および成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：永井冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002038568
Publication number (International publication number)：2003239062
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】靱性の高いカーボン膜(ta-C膜)を形成することができるカソーディックアーク成膜方法の提供。【解決手段】陰極アーク放電によりカーボンターゲット11を衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームBを生成し、そのプラズマビームBを基板41に照射してカーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法に関するものであって、成膜中に水素ガス供給装置44から成膜チャンバ4内へと水素ガスを導入する。導入された水素ガスはプラズマビームBにより励起され、水素ラジカルが生成される。生成された水素ラジカルは基板41に形成されたta-C膜のカーボンと反応し、C-C間の結合は外れる。その結果、ta-C膜の内部応力が緩和され、ta-C膜の靱性が向上する。

Claim (excerpt)：

陰極アーク放電によりカーボンターゲットを衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを基板に照射してカーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法において、前記プラズマビームの経路中に水素ガスを供給しつつカーボン膜を成膜することを特徴とするカソーディックアーク成膜方法。

IPC (4)：

C23C 14/06 , C23C 14/24 , G11B 5/31 , G11B 5/84

FI (4)：

C23C 14/06 F , C23C 14/24 F , G11B 5/31 M , G11B 5/84 B

F-Term (13)：

4K029AA24 , 4K029BA34 , 4K029BD00 , 4K029BD11 , 4K029CA03 , 4K029EA05 , 5D033DA03 , 5D033DA21 , 5D033DA31 , 5D112AA07 , 5D112BC05 , 5D112FA07 , 5D112FB28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

硬質薄膜の製造方法および硬質薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-183644 Applicant：高井治
真空アーク蒸着法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-000925 Applicant：富士電機株式会社
矩形真空アークプラズマ源
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-527728 Applicant：ベイパーテクノロジーズ,インコーポレイテッド

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