Pat
J-GLOBAL ID：200903058699225073

光学的情報記録媒体及びその製造方法

Inventor：
苅屋田 英嗣

About 苅屋田 英嗣


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003318104
Publication number (International publication number)：2005025910
Application date： Sep. 10, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：
【課題】 屈折率が低く高速で成膜可能な第2の誘電体層を備えた光学的情報記録媒体及びこの光学的情報記録媒体を生産性よく製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板1上に、ZnS-SiO2からなる第1誘電体層2、酸窒化シリコンからなる第2誘電体層3、ZnS-SiO2からなる第3誘電体層4、GeNからなる第1界面層5、Ge2Sb2Te5からなる記録層6、GeNからなる第2界面層7、ZnS-SiO2からなる第4誘電体層8、反射層9をこの順に積層する。第2誘電体層3は、Arガス、O2ガス及びN2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。そして、第2誘電体層3の屈折率を、第1誘電体層2及び第3誘電体層4の屈折率よりも低くし、記録層6の非晶質状態における光吸収率を、結晶状態における光吸収率よりも低くする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に形成された第1の誘電体層と、この第1の誘電体層上に反応性スパッタリング法により形成された酸窒化物からなりその屈折率が前記第1の誘電体層の屈折率よりも小さい第2の誘電体層と、この第2の誘電体層上に形成されその屈折率が前記第2の誘電体層の屈折率よりも大きい第3の誘電体層と、この第3の誘電体層上に形成され外部から入力される光により相状態が非晶質状態又は結晶状態とされることにより情報を記録する記録層と、を有し、前記基板側から光を入射させたときに、前記記録層の相状態が非晶質状態であるときの前記光の吸収率が、前記相状態が結晶状態であるときの前記光の吸収率よりも低いことを特徴とする光学的情報記録媒体。
IPC (2)：
G11B7/24 ,  G11B7/26
FI (5)：
G11B7/24 534N ,  G11B7/24 522A ,  G11B7/24 535C ,  G11B7/24 535H ,  G11B7/26 531
F-Term (7)：
5D029LA17 ,  5D029LB11 ,  5D029LC06 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 相変化光記録媒体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-260575   Applicant：株式会社東芝
  • 相変化光ディスク
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-298794   Applicant：日本電気株式会社
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM