情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079715
Publication number (International publication number)：2002279693
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】反応性スパッタにより、酸化層を製膜した場合に問題となる酸化層から記録膜への酸素の拡散を抑制し、優れた情報記録媒体を低コストで、しかも、多数回書換え時の書換え劣化、保存寿命の低下を防止する。【構成】記録層のレーザービーム入射側から順に、第1干渉層、第2干渉層、第1界面層の組成の異なる3層の薄膜を備える光ディスクであって、第2干渉層の屈折率が第1干渉層、記録層のいずれの屈折率よりも小さく、第2干渉層と記録層の間に、記録層と接して第1界面層を備え、第2干渉層に酸素が含有され、さらに上記第2干渉層と第1界面層の間に、第2干渉層と接して、第2干渉層よりも酸素含有量の少ない酸素遮断層を備える情報記録媒体。

Claim (excerpt)：

レーザービームの照射により原子配列変化、あるいは/および電子状態変化によって情報の記録が行われる情報記録媒体であって、溝深さdgの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層と、記録層のレーザービーム入射側から順に、第1干渉層、第2干渉層、第1界面層の組成の異なる3層の膜を備え、前記第1干渉層の熱伝導率が前記第2干渉層の熱伝導率よりも低く、前記第2干渉層の屈折率が前記第1干渉層及び前記記録層のいずれの屈折率よりも小さく、前記第2干渉層と前記記録層の間に、前記記録層と接して第1界面層を備え、前記第2干渉層に酸素が含有され、さらに前記第2干渉層と前記第1界面層の間に、前記第2干渉層よりも酸素含有量の少ない保護層を備え、前記第1干渉層と前記記録層の間の距離がdg以下であることを特徴とする情報記録媒体。

IPC (10)：

G11B 7/24 535 , G11B 7/24 , G11B 7/24 534 , G11B 7/24 561 , G11B 7/26 531 , G11B 11/105 521 , G11B 11/105 526 , G11B 11/105 531 , G11B 11/105 , G11B 11/105 546

FI (19)：

G11B 7/24 535 H , G11B 7/24 535 C , G11B 7/24 535 D , G11B 7/24 535 G , G11B 7/24 534 J , G11B 7/24 534 K , G11B 7/24 534 M , G11B 7/24 534 N , G11B 7/24 561 P , G11B 7/26 531 , G11B 11/105 521 F , G11B 11/105 526 C , G11B 11/105 531 L , G11B 11/105 531 K , G11B 11/105 531 D , G11B 11/105 531 F , G11B 11/105 531 E , G11B 11/105 546 F , G11B 11/105 546 K

F-Term (20)：

5D029LA12 , 5D029LA13 , 5D029LA14 , 5D029LA16 , 5D029LA17 , 5D029LB07 , 5D029LB11 , 5D029LC06 , 5D029LC17 , 5D029MA08 , 5D075EE03 , 5D075FG03 , 5D075FG04 , 5D075FH02 , 5D075GG03 , 5D075GG16 , 5D121AA04 , 5D121EE03 , 5D121EE09 , 5D121EE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光記録媒体と光記録媒体用保護膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-310467 Applicant：松下電器産業株式会社
相変化光ディスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-006217 Applicant：日本電気株式会社
光記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-341132 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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