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J-GLOBAL ID：200903058745825528

単層カーボンナノチューブ集合体の特性変換方法

Inventor： 片浦 弘道 ,  宮田 耕充
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005000355
Publication number (International publication number)：2006188380
Application date： Jan. 05, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】単層カーボンナノチューブ集合体から半導体的性質を呈するカーボンナノチューブを効率的に十分な割合で選択的に除去し、金属的性質を呈するカーボンナノチューブを十分に高い割合で、簡易に残存させることができる新規な方法を提供する。【解決手段】単層カーボンナノチューブ集合体に対して酸化処理を施す工程を具え、前記単層カーボンナノチューブ集合体の半導体的性質を呈するカーボンナノチューブを選択的に酸化してその機能を消滅せしめ、前記単層カーボンチューブ集合体における金属的性質を呈するカーボンナノチューブの割合を増大させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単層カーボンナノチューブ集合体に対して酸化処理を施す工程を具え、前記単層カーボンナノチューブ集合体の半導体的性質を呈するカーボンナノチューブを選択的に酸化してその機能を消滅せしめ、前記単層カーボンチューブ集合体における金属的性質を呈するカーボンナノチューブの割合を増大させることを特徴とする、単層カーボンナノチューブ集合体の特性変換方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (15)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC16B ,  4G146AD22 ,  4G146BA04 ,  4G146CA02 ,  4G146CA03 ,  4G146CA08 ,  4G146CA09 ,  4G146CA11 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB14 ,  4G146CB32 ,  4G146CB37

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光照射によるカーボンナノチューブの構造選択法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-000718   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 日本電気株式会社

Cited by examiner (4)

• 光学素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-320383   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 富士ゼロックス株式会社
• 光照射によるカーボンナノチューブの構造選択法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-000718   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 日本電気株式会社
• 水素吸蔵材料、水素吸蔵体、水素貯蔵装置、燃料電池車両、及び水素吸蔵材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-085515   Applicant：日産自動車株式会社
• カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ含有組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-148523   Applicant：名古屋大学長, 東レ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Separation of Metallic from Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes.