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J-GLOBAL ID：200903058768949097

フッ化金属用単結晶引き上げ装置

Inventor： 縄田 輝彦 ,  宮崎 英孝 ,  柳 裕之 ,  新田 真一 ,  伊藤 春正 ,  山鹿 功雄
Applicant, Patent owner： 株式会社第一機電
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003383439
Publication number (International publication number)：2004182587
Application date： Nov. 13, 2003
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】単結晶引き上げ域における温度分布の不均一さを改善し、フッ化金属の単結晶体をクラックの発生なく良好に製造できる単結晶引き上げ装置を開発すること。【解決手段】チャンバー内に配置され、単結晶製造原料の融液が収容される坩堝と、坩堝の周囲を取り囲むように配設した溶融ヒーターと、先端に種結晶を備え、坩堝内に収容された単結晶製造原料の融液と接触される上下動可能な単結晶引き上げ棒と、坩堝の少なくとも上方の単結晶引き上げ域の側周部を取り囲むように、チャンバー内に配設した断熱壁とを備えたフッ化金属用単結晶引き上げ装置であって、断熱壁の上部の上端開口部を閉塞する天井板と、断熱壁と天井板とで囲繞された単結晶引き上げ室とを備え、天井板には、単結晶引き上げ棒を挿入するための挿入孔が少なくとも穿孔されるとともに、天井板の厚み方向の放熱能力が、1000〜50000W/m2・Kである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

結晶成長炉を構成するチャンバーと、前記チャンバー内に配置され、単結晶製造原料の融液が収容される坩堝と、前記坩堝の周囲を取り囲むように配設した溶融ヒーターと、先端に種結晶を備え、坩堝内に収容された単結晶製造原料の融液と接触される上下動可能な単結晶引き上げ棒と、前記坩堝の少なくとも上方の単結晶引き上げ域の側周部を取り囲むように、前記チャンバー内に配設した断熱壁と、を備えたフッ化金属用単結晶引き上げ装置であって、 前記断熱壁の上部の上端開口部を閉塞する天井板と、前記断熱壁と天井板とで囲繞された単結晶引き上げ室とを備え、前記天井板には、前記単結晶引き上げ棒を挿入するための挿入孔が少なくとも穿孔されるとともに、前記天井板の厚み方向の放熱能力が、1000〜50000W/m2・Kであることを特徴とするフッ化金属用単結晶引き上げ装置。

IPC (3)：

C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

FI (3)：

C30B29/12 ,  C30B15/00 Z ,  C30B15/14

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CF10 ,  4G077EG19 ,  4G077EG20 ,  4G077EG25 ,  4G077PA16 ,  4G077PE22 ,  4G077PE24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-270385号公報(同公報の第1-2頁、第2図参照)
  
• 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176874   Applicant：キヤノン株式会社, 株式会社オプトロン

Cited by examiner (1)

• 結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176874   Applicant：キヤノン株式会社, 株式会社オプトロン