結晶成長用の種結晶及びフッ化物結晶

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176874
Publication number (International publication number)：1999021197
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、単結晶性が高く、複屈折性の小さな単結晶並びにかかる単結晶を成長させるのに好適な種結晶を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の種結晶は、結晶の主成長面に接する面のうち少なくとも1つが該主成長面と原子配列と等価な結晶面であることを特徴とする。特に、主成長面と側面の少なくとも一面を同じ面方位({111}あるいは{100})に属する結晶面とするのが好ましい。また、本発明のフッ化物結晶は以上の種結晶を用いてルツボ降下法又は結晶引き上げ法により結晶成長させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

単結晶成長用の種結晶であって、結晶の主成長面に接する面のうち少なくとも1つが該主成長面と原子配列が等価な結晶面であることを特徴とする結晶成長用の種結晶。

IPC (2)：

C30B 29/06 502 , G02B 1/02

FI (2)：

C30B 29/06 502 F , G02B 1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160002 Applicant：シャープ株式会社
蛍石単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-070982 Applicant：株式会社ニコン, 応用光研工業株式会社
特開昭64-037500

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