Pat
J-GLOBAL ID：200903058783404714
イオン源およびそれを用いたイオン注入装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087612
Publication number (International publication number)：1997259779
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 イオン源から引き出すイオンビーム中に重金属イオンが含まれるのを抑制して、分析マグネットの省略または小型・軽量化を可能にしたイオン源およびそれを用いたイオン注入装置を提供する。【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源2から引き出したイオンビーム28を、分析マグネットを通すことなくそのままシリコン基板40に入射させるようにしている。イオン源2は、ガス36が導入されそれを高周波放電によって電離させてプラズマ14を生成するプラズマ室10と、このプラズマ14からイオンビーム28を引き出す引出し電極系20とを備えている。プラズマ10の内壁をシリコンまたはカーボンから成る被覆材38で覆っている。かつ、引出し電極系20内の最プラズマ側の第1電極21の少なくともプラズマ14側の面をシリコンまたはカーボンで構成している。
Claim (excerpt)：
ガスが導入されそれを高周波放電によって電離させてプラズマを生成するプラズマ室と、このプラズマ室の出口付近に設けられていて前記プラズマから電界の作用でイオンビームを引き出す引出し電極系とを備え、前記プラズマ室の内壁をシリコンまたはカーボンから成る被覆材で覆い、かつ前記引出し電極系を構成する電極の内の最プラズマ側の第1電極の少なくともプラズマ側の面をシリコンまたはカーボンで構成したことを特徴とするイオン源。
IPC (4)：
H01J 27/16
, H01J 37/08
, H01J 37/317
, H01L 21/265
H01J 27/16
, H01J 37/08
, H01J 37/317 B
, H01L 21/265 F
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
