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J-GLOBAL ID:200903058811711938

プラズマエッチング装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 祥二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993309813
Publication number (International publication number):1995142453
Application date: Nov. 16, 1993
Publication date: Jun. 02, 1995
Summary:
【要約】【目的】プラズマエッチング装置に於いて、反応ガスの解離が著しく進行するのを抑制し、エッチングに適正なプラズマ状態を実現する。【構成】プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、プラズマのラジカルによりエッチングを行うプラズマエッチング装置に於いて、前記プラズマ発生用コイルに高周波電力をパルス状に印加し、ガスの解離状態が著しく進行するのを抑制する。
Claim (excerpt):
プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、プラズマのラジカルによりエッチングを行うプラズマエッチング装置に於いて、前記プラズマ発生用コイルに高周波電力をパルス状に印加する様構成したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2):
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-355915
  • プラズマ処理装置およびその制御方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-284210   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • 特開昭61-149486
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