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J-GLOBAL ID：200903058813689832
冷陰極素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124140
Publication number (International publication number)：1997185942
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】低い動作電圧で安定して電子放出を行い、さらには低真空においても作動する、生産性に優れた冷陰極素子及びその製造方法を得る。【解決手段】シリコン基板上に異方性エッチングにより形成した突起を型として用い、電鋳により Ni を堆積して表面にマトリックス状の突起を備えた Ni層9Aを製作し、さらに、DCスパッタ装置により、Cターゲットを用いて室温の Ar 雰囲気中で成膜を行い、 Ni 層9Aの表面に水素を含まないアモルファス状炭素膜2Bを形成して冷陰極素子の陰極部とする。
Claim (excerpt)：
陰極として印加された電界により電子を放出し、制御する冷陰極素子において、陰極部が、スパッタ法により形成された、水素を含まないアモルファス状炭素膜により覆われてなることを特徴とする冷陰極素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 A
Cited by examiner (7)
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