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J-GLOBAL ID：200903058815452139

半導体発光素子

Inventor： 筒井 毅 ,  中田 俊次 ,  尺田 幸男 ,  園部 雅之 ,  伊藤 範和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342941
Publication number (International publication number)：1998190055
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体の積層体を有する半導体発光素子において、オーミックコンタクト特性およびワイヤボンディングの接着強度を向上させながら、n側電極とp側電極との材料を共通化することにより、両電極を同時に形成して安価に製造することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3およびp形層5を含む半導体積層部と、前記n形層およびp形層にそれぞれ設けられるn側電極9およびp側電極8とからなり、前記n側電極およびp側電極が同じ金属材料で形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層およびp形層を含む半導体積層部と、前記n形層およびp形層にそれぞれ接続して設けられるn側電極およびp側電極とからなり、前記n側電極およびp側電極が同じ金属材料で形成されてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-341612   Applicant：株式会社東芝