半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341612
Publication number (International publication number)：1997232632
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】電極の形成工程を簡素化して、全体の製造工程の短縮を可能にすると共に、良好な素子特性を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板の同一面側に窒化ガリウム系化合物半導体からなるp型層とn型層を形成し、前記p型層とn型層の全面または一部に、同一の金属単体または合金、もしくはそれらからなる層構造で構成される電極を同時に形成して、それぞれp側電極及びn側電極とする。

Claim (excerpt)：

基板の同一面側に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなるp型層及びn型層と、前記p型層及び前記n型層上にそれぞれ形成されたp側電極及びn側電極とを備えた半導体発光素子において、前記p側電極と前記n側電極は、同一の金属単体または合金、もしくはそれらからなる層構造で構成され且つ同一工程で形成された電極であることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092323 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327259 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302586 Applicant：日亜化学工業株式会社

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