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J-GLOBAL ID:200903058937430896

圧電薄膜共振子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001141846
Publication number (International publication number):2002344279
Application date: May. 11, 2001
Publication date: Nov. 29, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電気機械結合係数が大きく、音響的品質係数(Q値)及び周波数温度特性に優れ高特性で高性能な圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶からなる基板12と、その上に形成された酸化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる下地膜13と、その上に形成された圧電積層構造体14とを有する。下地膜13の一部と圧電積層構造体14の一部とを含んで振動部21が構成されている。圧電積層構造体14は、下部電極15、圧電体膜16および上部電極17をこの順に積層してなる。基板12は振動部21に対応する領域にて振動部21の振動を許容する空隙を形成するビアホール20を有する。圧電体膜16は、アルカリ土類金属及び/または希土類金属を0.2〜3.0原子%含有する窒化アルミニウム薄膜である。
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に形成された圧電積層構造体とを有しており、前記圧電積層構造体の一部を含んで振動部が構成されており、前記圧電積層構造体は下部電極、圧電体膜および上部電極を前記基板の側からこの順に積層してなるものであり、前記基板は前記振動部に対応する領域にて該振動部の振動を許容する空隙を形成している圧電薄膜共振子において、前記圧電体膜がアルカリ土類金属及び/または希土類金属を含有する窒化アルミニウム薄膜であることを特徴とする圧電薄膜共振子。
IPC (3):
H03H 9/17 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18
FI (3):
H03H 9/17 F ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z
F-Term (4):
5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC08 ,  5J108CC11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Visible emission from AlN doped with Eu, Tb, and Er ions

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