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J-GLOBAL ID:200903058964620621

DRAMのバッテリ・バックアップ・システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000009507
Publication number (International publication number):2001202165
Application date: Jan. 18, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 従来よりも低消費電力でバックアップを可能とし、長時間のバックアップを可能とする。【解決手段】 セルフ・リフレッシュ機能を備えたDRAM2と、メモリ・コントローラ1aを内蔵した制御手段1と、通常時に給電を行うためのメイン電源4および非常時に給電を行うためのバッテリ6からなる電源部と、前記制御手段と前記電源部との接続/切断を実施するバッテリ切断回路7と、前記メイン電源4の出力電圧を監視するメイン電源電圧監視回路8と、前記バッテリ6の出力電圧を監視するバッテリ電圧監視回路9と、前記メイン電源電圧監視回路8および前記バッテリ電圧監視回路9の監視結果に応じて前記バッテリ切断回路7の接続を制御し、かつ、前記DRAM2をセルフ・リフレッシュ・モードに切り替える外付け回路3とを備える。
Claim (excerpt):
セルフ・リフレッシュ機能を備えたDRAMと、メモリ・コントローラを内蔵した制御手段と、通常時に給電を行うためのメイン電源および非常時に給電を行うためのバッテリからなる電源部と、前記制御手段と前記電源部との接続/切断を実施するバッテリ切断回路と、前記メイン電源の出力電圧を監視するメイン電源電圧監視回路と、前記バッテリの出力電圧を監視するバッテリ電圧監視回路と、前記メイン電源電圧監視回路および前記バッテリ電圧監視回路の監視結果に応じて前記バッテリ切断回路の接続を制御し、かつ、前記DRAMをセルフ・リフレッシュ・モードに切り替える外付け回路とを備えたことを特徴とするDRAMのバッテリ・バックアップ・システム。
IPC (8):
G06F 1/28 ,  G06F 1/32 ,  G06F 1/30 ,  G06F 1/04 301 ,  G06F 12/16 340 ,  G11C 11/401 ,  H01M 10/44 ,  H02J 9/00
FI (8):
G06F 1/04 301 C ,  G06F 12/16 340 H ,  H01M 10/44 P ,  H02J 9/00 P ,  G06F 1/00 333 C ,  G06F 1/00 332 Z ,  G06F 1/00 341 A ,  G11C 11/34 371 G
F-Term (29):
5B011DA02 ,  5B011DB11 ,  5B011DC06 ,  5B011EA08 ,  5B011EB01 ,  5B011GG03 ,  5B011JA06 ,  5B011JB02 ,  5B011JB06 ,  5B011LL14 ,  5B011MA02 ,  5B024AA01 ,  5B024BA29 ,  5B024DA18 ,  5B079BA01 ,  5B079BC01 ,  5G015FA08 ,  5G015GB02 ,  5G015JA05 ,  5G015JA32 ,  5G015JA34 ,  5G015JA53 ,  5G015KA05 ,  5H030AA06 ,  5H030AS03 ,  5H030AS11 ,  5H030BB21 ,  5H030FF44 ,  5H030FF51
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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