パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007311180
Publication number (International publication number)：2008268855
Application date： Nov. 30, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】ヘテロ原子を骨格に有する環状構造を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成する前工程に用いられる表面処理剤であって、該表面処理剤として、式(1)で表される化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。

IPC (3)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , G03F 7/20

FI (5)：

G03F7/40 502 , G03F7/40 511 , H01L21/30 502C , H01L21/30 564Z , G03F7/20 521

F-Term (12)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096EA12 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 5F046AA13 , 5F046DA29 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-000347 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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