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J-GLOBAL ID：200903058990229892

ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法

Inventor： 塩島 謙次 ,  末光 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000213588
Publication number (International publication number)：2002033491
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ショットキ-接触の電気的特性にn-GaNの結晶性がどのように影響するかは知られておらず、どの程度の品質のn-GaN基板が必要なのか明確になっていない。【解決手段】 電子移動度の異なる4種類のn-GaNウエハにNiショットキー接触を形成し、室温でI-V測定行った結果によれば、電子移動度100cm2/Vs以下の試料A,BのI-V特性は漏れ電流が大きい。一方、電子移動度107cm2/Vsの試料Cは良好な特性を示している。試料Cよりも電子移動度が3倍大きく、転位密度が1/3以下の試料DのI-V特性は試料Cと変わらない。すなわち、電子移動度100cm2/Vs以上であれば、転位密度に関係なく、n-GaN上に良好なショットキー接触が形成できる。従って、安価なn-GaNウエハを選択することができる。

Claim (excerpt)：

良好なショットキー接触を可能とするn-GaNウエハの選別に前記n-GaNウエハの電子移動度を選別パラメータとして用い、かつ、前記電子移動度が100cm2/Vs以上である前記n-GaNウエハを選別することを特徴とするショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法。

F-Term (5)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20