配線層形成方法およびその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994300181
Publication number (International publication number)：1996139091
Application date： Nov. 10, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Cu層を配線の主体とする配線層において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離することのないようにする。配線抵抗の低減化。【構成】シリコン基板を搬送棒41により拡散防止膜堆積室21内に搬入する。堆積室21内において、半導体基板上にTiW、TiN等からなる拡散防止膜を形成する。拡散防止膜形成後、ゲートバルブ31を開き搬送棒41により半導体基板を付着層堆積室22に搬入する。堆積室22において、Al、Ti等からなる付着層を形成する。次に、ゲートバルブ32を開いて搬送棒41により基板をCu層堆積室23に搬入し、Cu層を成膜する。次に、基板を拡散防止膜堆積室21に戻し、ここでTiW、TiN等からなる酸化防止膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、Cuに対する拡散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜、該拡散防止膜およびCuに対する付着力の高い材料からなる付着層、Cuを主体とする材料からなる低抵抗金属層をこの順に、若しくは、これらの拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層の外に酸化防止膜をこの順に堆積する配線層形成方法において、各膜の堆積工程間において半導体基板を大気に曝すことなく成膜を続けることを特徴とする配線層形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-202841
半導体装置の積層配線構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-111999 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭63-302538

Show all

Return to Previous Page