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J-GLOBAL ID：200903059010913926

p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法

Inventor： 朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典 ,  宮嶋 孝夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997135406
Publication number (International publication number)：1998326911
Application date： May. 26, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やp型不純物濃度を均一とする。【解決手段】 AlGaN混晶よりなる厚さ1〜100nm程度の第1の層11と、Mgが添加されたp型GaNよりなる厚さ1〜100nm程度の第2の層12とを交互に複数積層する。各層11,12はそれぞれ薄いので、第1の層11がMgを含まず第2の層12がAlを含まなくても全体としてはp型AlGaN混晶としての性質を有する。積層に際してはAlの原料とMgの原料とを時間的に分離して供給するので、良好な結晶の成長を妨害するAlの原料とMgの原料との反応を防止できる。よって、良好な結晶を成長させることができる。

Claim (excerpt)：

ガリウム,アルミニウム,ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と、窒素と、マグネシウム,亜鉛および炭素からなる群のうちの少なくとも1種のp型不純物とを含むp型III族ナイトライド化合物半導体であって、組成あるいは含有するIII族元素の種類とp型不純物濃度とが互いに異なる第1の層と第2の層とを交互に複数層それぞれ備えたことを特徴とするp型III族ナイトライド化合物半導体。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285404   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285404   Applicant：日亜化学工業株式会社