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J-GLOBAL ID：200903002244161675

窒化物半導体素子

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997285404
Publication number (International publication number)：1998326943
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】【目的】 結晶欠陥の少ない窒化物半導体素子を実現して、窒化物半導体を用いたLED素子、レーザ素子、受光素子等の窒化物半導体デバイスの寿命を向上させて、信頼性の高い素子を実現する。【構成】 活性層と、p型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第1の層との間に、p型不純物がドープされていないか、若しくはp型不純物濃度が第1の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第2の層を有し、さらに前記活性層と、n型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第3の層との間に、n型不純物がドープされていないか、若しくはn型不純物濃度が第3の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第4の層を有することにより、第2の層、第4の層で結晶性が良くなるので半導体素子の結晶欠陥が少なくなって素子が長寿命になる。
Claim (excerpt)：
活性層と、p型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第1の層との間に、p型不純物がドープされていないか、若しくはp型不純物濃度が第1の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第2の層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118711   Applicant：三井石油化学工業株式会社
  • 自励発振型半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-109896   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106968   Applicant：ソニー株式会社
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Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118711   Applicant：三井石油化学工業株式会社
  • 自励発振型半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-109896   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106968   Applicant：ソニー株式会社
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