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J-GLOBAL ID：200903059016951820

真空を維持する単結晶シリコンゲッターを有する気密封止マイクロデバイス

Inventor：
シャオイ、ディン

About シャオイ、ディン


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004541623
Publication number (International publication number)：2006501679
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
マイクロデバイスは、デバイスマイクロ構造体(22)と、基板(24)と、そしてシリコンキャップ(30,130)とを備える。デバイスマイクロ構造体(22)は基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)は、ベース部分(32,132)及びキャップ(30,130)内に中空部(36,136)を画定する側壁(34,134)を有する。シリコンキャップ(30,130)は、キャップ(30,130)内の中空部(36,136)がデバイスマイクロ構造体(22)を収容し、かつ、デバイスマイクロ構造体(22)に隣接して気密封止キャビティ(38)を形成するように基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)はさらに、その中空部(36,136)に沿って埋め込まれ、キャビティ(38)内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層(40,140)を有する。単結晶シリコンゲッター層(40,140)を含むマイクロデバイスの形成方法も提供する。
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板に取り付けられるデバイスマイクロ構造体と、 シリコンキャップと、該キャップは同キャップ内に中空部を画定するベース部分および側壁を有することと、前記キャップは、前記キャップの中空部が前記デバイスマイクロ構造体を収容し、および前記デバイスマイクロ構造体に隣接して気密封止キャビティを形成するように前記基板に取り付けられることとからなり、 前記シリコンキャップは、その中空部に沿って埋め込まれ、前記キャビティ内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層を有する、気密封止マイクロデバイス。
IPC (3)：
H01L 23/02 ,  B81B 7/02 ,  B81C 1/00
FI (3)：
H01L23/02 J ,  B81B7/02 ,  B81C1/00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第4,771,214号
  • 米国特許第5,614,785号
Cited by examiner (3)
  • マイクロマシニング型の構成素子および方法
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-538669   Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153121   Applicant：株式会社東芝
  • 特開昭56-137658

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