Pat

J-GLOBAL ID：200903059019456579

電界効果型トランジスタ

Inventor： 江藤 浩幸 ,  中川 清和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991239241
Publication number (International publication number)：1993082558
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】n型電界効果型トランジスタは、Si(110)基板1上に形成された歪み緩和したSi<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>バッファ層2,バッファ層に格子整合して引っ張り歪みを受けたSiチャネル層3及びSi<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層4,n-Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層5,Si<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>層6,Si層7,ソース,ドレイン領域8,9及びゲート電極11,ソース,ドレイン電極10,12からなる。【効果】Si<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(110)面上に形成したSi<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>/Si界面の<001>方向をチャネルとすることによって、量子準位間の散乱を減少させ移動度を高めることができ、高利得のn型電界効果型トランジスタを得ることができる。

Claim (excerpt)：

第一のSiGe(110)単結晶上に、面内方向に伸長的に歪んだ第一のSi単結晶層を形成し、前記第一のSi単結晶層の上に第二のSiGe単結晶層を形成し、前記第一のSi単結晶層と第二のSiGe単結晶層との界面の<001>方向をチャネルとすることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812