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J-GLOBAL ID：200903059038058240

絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置

Inventor： 光嶋 猛
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290614
Publication number (International publication number)：1994140389
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】オゾンTEOS酸化膜のクラック発生を防止する。【構成】圧力約7.0atmのO2 はオゾン発生器44に供給され、O3 を含むO2 はコンプレッサー45で圧縮され、約3.3atmの圧力で減圧弁46に供給され、圧力3.0atmに減圧されてガス導入管50へ供給される。圧力約7.0atmのN2 は減圧弁48で圧力3.0atmに減圧され、TEOSタンク49に供給されてTEOSをこのN2 によりバブリングする。TEOSとN2 の混合ガスはガス導入管50を通してチャンバー41に導入される。排気圧力は減圧弁54によって2.9atmに制御され、チャンバー41内のシリコン基板31近傍の圧力はほぼ3.0atmに制御される。成長圧力3.0atmではクラック発生の臨界膜厚は約1000nmであり、この成長圧力3.0atmで形成膜厚を700nmとすれば、クラック発生に対して充分なマージンを持つことができる。

Claim (excerpt)：

O3 (オゾン)とSi(OC2 H5 )4 (テトラエトキシシラン、以下TEOSと称す)を含む混合ガスを用いて化学気相成長法により、大気圧以上の成長圧力で酸化シリコン膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231840   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-167429