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J-GLOBAL ID：200903059040769560

窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法

Inventor： 桑原 正和 ,  菅 博文 ,  石田 明広 ,  藤安 洋 ,  榊原 愼吾 ,  山本 悦司
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社 ,  ヤマハ株式会社 ,  石田 明広 ,  藤安 洋
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093132
Publication number (International publication number)：1996264439
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 良質の窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供する。【構成】 基板100表面をまず高温にして、窒素だけを供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表面を比較的低温として、均一にGaなどの陽イオン元素を蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給することにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、これにより窒化物半導体の均質な初期層350を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の表面での窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法であって、前記基板の表面に窒化する第1の工程と、1以上の種類の成長すべき化合物半導体の陽イオン元素を1原子層以上堆積あるいは蒸着する第2の工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化ガリウム系薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265835   Applicant：旭化成工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265835   Applicant：旭化成工業株式会社