Pat
J-GLOBAL ID：200903059051451368

カッドGMRサンドイッチ

Inventor：
エヴェリット, ブレンダ, エー

About エヴェリット, ブレンダ, エー


Applicant, Patent owner：
シーゲート テクノロジー,インコーポレイテッド

About シーゲート テクノロジー,インコーポレイテッド


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000572679
Publication number (International publication number)：2002525889
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：
【要約】磁気抵抗(GMR)センサは、基板および前記基板に配置された第一の3層を含む磁気抵抗(GMR)センサを含む。第一のスペーサ層が、第一の3層に配置上されている。第一の磁気層が、前記第一のスペーサ層上に配置されている。第二のスペーサ層が、前記第一の磁気層上に配置されている。第二の磁気層が、前記第二のスペーサ層上に配置されている。第三のスペーサ層が前記第二の磁気層上に配置されている。第二の3層が前記第三のスペーサ層上に配置され、そしてキャップ層が前記第二の3層上に配置されている。前記第一および第二の3層は、第一の強磁性体層、第二の強磁性体層および前記第一および第二の強磁性体層の間に接触して配置された非平行カップリング層を含んでいる。
Claim (excerpt)：
基板、 前記基板に配置された第一の3層、 前記第一の3層に配置された第一のスペーサ層、 前記第一のスペーサ層に配置された第一の磁気層、 前記第一の磁気層に配置された第二のスペーサ層、 前記第二のスペーサ層に配置された第二の磁気層、 前記第二の磁気層に配置された第三のスペーサ層、 前記第三のスペーサ層に配置された第二の3層、および 前記第二の3層に配置されたキャップ層を含む磁気抵抗センサであって、 前記第一および第二の3層が 第一の強磁性層、 第二の強磁性層および 前記第一および第二の強磁性層の間に接触して配置された逆行カップリング層を含むことを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 17/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/02
FI (8)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 A ,  G01R 17/12 A ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/02 Z ,  G01R 33/06 R
F-Term (19)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09 ,  2G025EC09 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA17 ,  5D034BA21 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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