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J-GLOBAL ID：200903059088756797

半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor：
石田 拓郎

About 石田 拓郎


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997019467
Publication number (International publication number)：1998221361
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 チップサイズを大きくすることなくセンサ感度を向上させることのできる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ1をエッチングすることにより重り部1aと撓み部1bを介して重り部1aを支持して成る支持部1cとが形成され、重り部1aには重り部2aがシリコン酸化膜5を介して接合され、支持部1cには支持部2bがシリコン酸化膜5を介して接合されている。また、撓み部1bには、センサ部3が形成され、センサ部3に電気的に接続されるように配線抵抗部4が形成され、配線抵抗部4と電気的に接続されるように電極パッド7が形成されている。また、シリコンウェハ2の下部には、下部ストッパ8が接合され、支持部1c上のシリコン窒化膜6には接合用電極9を介して上部ストッパ10が接合されている。ここで、上部ストッパ10には、重り部1a,2aが上下方向に振動することができるように凹部10aが形成されている。また、下部ストッパ8と重り部2aとは所望の距離を隔てて配置されている。
Claim (excerpt)：
第一半導体基板をエッチングすることにより形成された厚肉状の第一重り部及び1本または複数本の薄肉状の撓み部を介して前記第一重り部を支持する第一支持部と、前記撓み部に形成され、該撓み部の歪みを検出するセンサ部と、該センサ部で検出された歪みを電気信号として取り出す電極と、第二半導体基板をエッチングすることにより形成された厚肉状の第二重り部及び第二支持部とから成り、前記第一重り部に前記第二重り部を接合し、前記第一支持部に前記第二支持部を接合するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (2)：
G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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