レジストパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西淳美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995289149
Publication number (International publication number)：1997106081
Application date： Oct. 12, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】リソグラフィーのためのレジストパターンを形成する方法において、現像液のぬれ性の良いレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたレジスト表面の現像処理に際して、現像前に、従来のプリウェット処理に加えて、またはプリウェット処理とともに、レジスト表面の親水化処理を行うことにより、現像液のぬれ性の良いレジストパターンを形成でき、その結果、現像ムラやエッチング後の欠陥数を減少する。親水化処理剤としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、イソプロピルアルコール、ジエチルエタノールアミン等が好適に使用できる。

Claim (excerpt)：

基板上に、リソグラフィーのためのレジストパターンを形成する方法において、パターン露光後、レジスト現像前に表面親水化処理を行うことにより、現像液のレジスト表面に対するぬれ性を向上させることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/38 512 , H01L 21/30 568

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-126651
特開昭61-030033
特開昭63-317379

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