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J-GLOBAL ID：200903059207060518
半導体基板の欠陥の検出方法と試料の作製方法及び欠陥の観察方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997085625
Publication number (International publication number)：1998260138
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】半導体基板表面及び表面近傍に存在する欠陥(異物を含む)の観察を高精度に行う際に、形状の変化、変質のおそれが無く、容易に低コストで試料が作製できる方法を提供すること。【解決手段】レーザー光散乱異物位置検査装置とレーザー光散乱顕微鏡とを用いてレーザー光散乱体の存在するポイントを検出しておき、このポイントにマーキングを施し、このマーキングを利用してTEM観察用試料を作製する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の欠陥を検出する方法において、レーザー光散乱異物位置検査装置及び/又はレーザー光散乱顕微鏡を用いて半導体基板表面及び表面近傍のレーザー光散乱体の存在するポイントを検出する工程と、前記レーザー光散乱体の存在が確認されたポイントの表面を走査型プロ-ブ顕微鏡を用いて測定することにより前記レーザー光散乱体の存在するポイントを検出する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の欠陥の検出方法。
IPC (3)：
G01N 21/88
, G01N 37/00
, H01L 21/66
G01N 21/88 E
, G01N 37/00 A
, H01L 21/66 L
