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J-GLOBAL ID：200903075883507490
結晶欠陥観察装置および方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 辰雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993326050
Publication number (International publication number)：1995151698
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体結晶表面のごく近傍に存する欠陥のみを、既にデバイスが形成されている場合でも、効率的に観察できる結晶欠陥観察装置を提供する。【構成】 半導体結晶の平らな表面へ向けてその表面の近傍のみ透過するような前記半導体における吸収係数の大きい波長のレーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光束により前記表面近傍に存する結晶欠陥から生じる散乱光を受光し結像させるとともに半導体結晶表面を可視光で観察するための顕微鏡と、前記半導体結晶を前記顕微鏡の光軸にほぼ垂直な平面内で移動させる移動手段とを具備する。
Claim (excerpt)：
半導体結晶の平らな表面へ向けてその表面の近傍のみ透過するような前記半導体における吸収係数の大きい波長のレーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光束により前記表面近傍に存する結晶欠陥から生じる散乱光を受光し結像させるとともに半導体結晶表面を可視光で観察するための顕微鏡と、前記半導体結晶を前記顕微鏡の光軸にほぼ垂直な平面内で移動させる移動手段とを具備することを特徴とする結晶欠陥観察装置。
IPC (3)：
G01N 21/88
, G01N 21/00
, G01N 21/47
