高密度半導体実装用はんだ材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村井卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997157227
Publication number (International publication number)：1999005189
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】ボールグリッドアレイなどのボールまたはバンプ形状を有するはんだの耐疲労性を高める。【解決手段】はんだ材料組成:?@MA (但し、In,Gaの少なくとも1種)0.01〜10%、?AMB (但し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01〜8%、及び?BAg及びAuの少なくとも1種0.01〜10%からなる群?@〜?Bの少なくとも2種と、Pb10〜95%と、残部(0%を除く)Sn。はんだ材料組織:はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記MA 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の粒界に存在する。

Claim (excerpt)：

重量百分率で、?@MA (但し、In,Gaの少なくとも1種)0.01〜10%、?AMB (但し、Sb,Biの少なくとも1種)0.01〜8%、及び?BAg及びAuの少なくとも1種0.01〜10%からなる群?@〜?Bの少なくとも2種と、Pb10〜95%と、残部(0%を除く)Snとから実質的にからなり、はんだ付状態ではMA 、MB はPb相及びSn相に実質的に固溶した状態であり、はんだ付後に析出させた前記MA 及び/又はMB を含むもしくはMA 及び/又はMB からなる二次相が主としてPb結晶粒及びSn結晶粒の粒界に存在しており、耐疲労性が優れていることを特徴とする高密度半導体の実装のためのボール又はバンプ形状をもつはんだ材料。

IPC (5)：

B23K 35/26 310 , B23K 35/26 , C22C 11/10 , C22C 13/00 , H01L 21/60 311

FI (5)：

B23K 35/26 310 A , B23K 35/26 310 B , C22C 11/10 , C22C 13/00 , H01L 21/60 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-106591
特開平3-204194
高温はんだ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254321 Applicant：サンケン電気株式会社, 千住金属工業株式会社

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