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J-GLOBAL ID：200903059250338180

半導体ダイヤモンド

Inventor： 近 藤 英 一 ,  太 田 与 洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991148391
Publication number (International publication number)：1993013342
Application date： Jun. 20, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 ドープトダイヤモンド単結晶膜2上に、該単結晶膜と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層3を有し、該中間層上に該中間層と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜4を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。ドープトダイヤモンド単結晶膜2上に、ノンドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層3を有し、該中間層上にドープトダイヤモンド単結晶膜4を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。【効果】 本発明によって、欠陥の少なく電気的特性の良好なダイヤモンド単結晶膜を得る事が可能となり、高温動作トランジスタ、耐放射線トランジスタ、短波長レーザー等の各種ダイヤモンド半導体素子の特性が向上した。

Claim (excerpt)：

ドープトダイヤモンド単結晶膜上に、該単結晶膜と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層を有し、該中間層上に該中間層と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/48 ,  H01S 3/18