Pat
J-GLOBAL ID：200903059360751643
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001230046
Publication number (International publication number)：2003046064
Application date： Jul. 30, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 チタン酸ジルコル酸鉛(PZT)の結晶性を向上することにより、強誘電体特性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 FeRAMの製造方法は、下部電極の一部を形成するPt層4の上にPbTi層を堆積する工程と、該堆積されたPbTi層を酸化する工程と、該酸化されて形成されたPbTi層5の上にPZT層6を設ける工程と、該PZT層6の上に上部電極7を設ける工程とによる。これらの層は全てスパッタリング法により堆積される。
Claim (excerpt)：
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法であり、下部電極の上にチタンと鉛を含む物質層を堆積する堆積工程と、前記堆積工程により堆積された物質層を酸化する酸化工程と、前記酸化工程により酸化された物質層の上にチタン酸ジルコル酸鉛層を設ける工程と、前記工程により設けられたチタン酸ジルコル酸鉛層の上に上部電極を設ける工程と、を備える半導体装置の製造方法。
F-Term (10)：
5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
Cited by examiner (3)
-
半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-255974
Applicant：セイコーエプソン株式会社
-
強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-333827
Applicant：シャープ株式会社
-
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-213234
Applicant：ヤマハ株式会社
Return to Previous Page
